STD11N60M2-EP
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| Numero parte | STD11N60M2-EP |
| PNEDA Part # | STD11N60M2-EP |
| Descrizione | N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP., |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 53.334 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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STD11N60M2-EP Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STD11N60M2-EP |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
STD11N60M2-EP, STD11N60M2-EP Datasheet
(Totale pagine: 17, Dimensioni: 369,46 KB)
  
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STD11N60M2-EP Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ M2-EP |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 595mOhm @ 3.75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 85W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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