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STB70NF3LLT4

STB70NF3LLT4

Solo per riferimento

Numero parte STB70NF3LLT4
PNEDA Part # STB70NF3LLT4
Descrizione MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Produttore STMicroelectronics
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Disponibile 2.088
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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STB70NF3LLT4 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTB70NF3LLT4
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STB70NF3LLT4, STB70NF3LLT4 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 461,55 KB)
PDFSTB70NF3LLT4 Datasheet Copertura
STB70NF3LLT4 Datasheet Pagina 2 STB70NF3LLT4 Datasheet Pagina 3 STB70NF3LLT4 Datasheet Pagina 4 STB70NF3LLT4 Datasheet Pagina 5 STB70NF3LLT4 Datasheet Pagina 6 STB70NF3LLT4 Datasheet Pagina 7 STB70NF3LLT4 Datasheet Pagina 8 STB70NF3LLT4 Datasheet Pagina 9 STB70NF3LLT4 Datasheet Pagina 10 STB70NF3LLT4 Datasheet Pagina 11

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STB70NF3LLT4 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C70A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1650pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)100W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

710mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 18V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

FDP045N10A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5270pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

263W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

FDU3N50NZTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

PSMN009-100B,118

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Produttore

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Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

156nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8250pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

230W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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