STB21NM50N
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Numero parte | STB21NM50N |
PNEDA Part # | STB21NM50N |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK |
Produttore | STMicroelectronics |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.744 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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STB21NM50N Risorse
Brand | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | STB21NM50N |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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STB21NM50N Specifiche
Produttore | STMicroelectronics |
Serie | MDmesh™ II |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 140W (Tc) |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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