Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

STB160N75F3

STB160N75F3

Solo per riferimento

Numero parte STB160N75F3
PNEDA Part # STB160N75F3
Descrizione MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.932
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STB160N75F3 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTB160N75F3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STB160N75F3, STB160N75F3 Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 387,38 KB)
PDFSTW160N75F3 Datasheet Copertura
STW160N75F3 Datasheet Pagina 2 STW160N75F3 Datasheet Pagina 3 STW160N75F3 Datasheet Pagina 4 STW160N75F3 Datasheet Pagina 5 STW160N75F3 Datasheet Pagina 6 STW160N75F3 Datasheet Pagina 7 STW160N75F3 Datasheet Pagina 8 STW160N75F3 Datasheet Pagina 9 STW160N75F3 Datasheet Pagina 10 STW160N75F3 Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • STB160N75F3 Datasheet
  • where to find STB160N75F3
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STB160N75F3
  • STB160N75F3 PDF Datasheet
  • STB160N75F3 Stock

  • STB160N75F3 Pinout
  • Datasheet STB160N75F3
  • STB160N75F3 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STB160N75F3 Price
  • STB160N75F3 Distributor

STB160N75F3 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6750pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)330W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

44A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

520W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

FQP50N06

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1540pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

120W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SFT1423-S-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TP-FA

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SMP3003-DL-1EX

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

SIE830DF-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

WFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

10-PolarPAK® (S)

Pacchetto / Custodia

10-PolarPAK® (S)

Venduto di recente

5KP30A

5KP30A

Littelfuse

TVS DIODE 30V 48.4V P600

LQH2MCN100K02L

LQH2MCN100K02L

Murata

FIXED IND 10UH 225MA 1.2 OHM SMD

W25Q64DWSSIG

W25Q64DWSSIG

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC

MCP23S17T-E/SO

MCP23S17T-E/SO

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER SPI 16B 28SOIC

S558-5999-M8-F

S558-5999-M8-F

Bel Fuse

MODULE XFRMR LAN GIGABIT 24P SMD

MT25QL512ABB8ESF-0SIT

MT25QL512ABB8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2

ATMEGA328P-15AZ

ATMEGA328P-15AZ

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 32TQFP

SMAJ40CA

SMAJ40CA

Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMA

HCTI-10-20.0

HCTI-10-20.0

Signal Transformer

FIXED IND 10UH 20A 5 MOHM TH

HMC7044LP10BE

HMC7044LP10BE

Analog Devices

IC JITTER ATTENUATOR 68LFCSP

ADG406BPZ-REEL

ADG406BPZ-REEL

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 16X1 28PLCC

AD623ANZ

AD623ANZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8DIP