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STB13NK60ZT4

STB13NK60ZT4

Solo per riferimento

Numero parte STB13NK60ZT4
PNEDA Part # STB13NK60ZT4
Descrizione MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.920
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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STB13NK60ZT4 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTB13NK60ZT4
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STB13NK60ZT4, STB13NK60ZT4 Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 489,32 KB)
PDFSTP13NK60Z Datasheet Copertura
STP13NK60Z Datasheet Pagina 2 STP13NK60Z Datasheet Pagina 3 STP13NK60Z Datasheet Pagina 4 STP13NK60Z Datasheet Pagina 5 STP13NK60Z Datasheet Pagina 6 STP13NK60Z Datasheet Pagina 7 STP13NK60Z Datasheet Pagina 8 STP13NK60Z Datasheet Pagina 9 STP13NK60Z Datasheet Pagina 10 STP13NK60Z Datasheet Pagina 11

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STB13NK60ZT4 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSuperMESH™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs92nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2030pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

303mOhm @ 800mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

82pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

900mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

3-CPH

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 36W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STH240N10F7-6

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ F7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11550pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

H2PAK-6

Pacchetto / Custodia

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 2.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

412pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8180pF @ 25V

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Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

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