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SST39WF1601-90-4I-MBQE

SST39WF1601-90-4I-MBQE

Solo per riferimento

Numero parte SST39WF1601-90-4I-MBQE
PNEDA Part # SST39WF1601-90-4I-MBQE
Descrizione IC FLASH 16M PARALLEL 48WFBGA
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.490
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SST39WF1601-90-4I-MBQE Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST39WF1601-90-4I-MBQE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST39WF1601-90-4I-MBQE, SST39WF1601-90-4I-MBQE Datasheet (Totale pagine: 29, Dimensioni: 807,14 KB)
PDFSST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Copertura
SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 2 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 3 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 4 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 5 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 6 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 7 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 8 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 9 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 10 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 11

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SST39WF1601-90-4I-MBQE Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST39 MPF™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina40µs
Tempo di accesso90ns
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-WFBGA (5x6)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1.8ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

MB85RS1MTPNF-G-JNERE1

Fujitsu Electronics

Produttore

Fujitsu Electronics America, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

AT24C128N-10SU-2.7-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT48H8M32LFF5-8

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

125MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

71V3556SA100BG

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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