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SST39VF400A-70-4I-M1QE

SST39VF400A-70-4I-M1QE

Solo per riferimento

Numero parte SST39VF400A-70-4I-M1QE
PNEDA Part # SST39VF400A-70-4I-M1QE
Descrizione IC FLASH 4M PARALLEL 48WFBGA
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.838
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SST39VF400A-70-4I-M1QE Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST39VF400A-70-4I-M1QE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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SST39VF400A-70-4I-M1QE Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST39 MPF™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina20µs
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-WFBGA (6x4)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

EDFB164A1MA-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

R1LV1616RSD-7SI#B0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

52-TSOP II

EDF8164A3MA-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

8Gb (128M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

253-FBGA (11x11)

MR4A08BCMA35

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Produttore

Everspin Technologies Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-LFBGA

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