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SST39VF010-70-4I-B3KE

SST39VF010-70-4I-B3KE

Solo per riferimento

Numero parte SST39VF010-70-4I-B3KE
PNEDA Part # SST39VF010-70-4I-B3KE
Descrizione IC FLASH 1M PARALLEL 48TFBGA
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.992
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SST39VF010-70-4I-B3KE Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST39VF010-70-4I-B3KE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST39VF010-70-4I-B3KE, SST39VF010-70-4I-B3KE Datasheet (Totale pagine: 31, Dimensioni: 412,24 KB)
PDFSST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Copertura
SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 2 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 3 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 4 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 5 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 6 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 7 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 8 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 9 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 10 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 11

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SST39VF010-70-4I-B3KE Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST39 MPF™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina20µs
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA

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CY7C1020CV33-15ZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

S29GL128P90FAIR23

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.333GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

19ns

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-FBGA (9x14)

IDT71V65602S150BQ

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

150MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

MT40A512M8RH-083E AIT:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.2GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

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Surface Mount

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