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SST39LF020-45-4C-B3KE

SST39LF020-45-4C-B3KE

Solo per riferimento

Numero parte SST39LF020-45-4C-B3KE
PNEDA Part # SST39LF020-45-4C-B3KE
Descrizione IC FLASH 2M PARALLEL 48TFBGA
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.508
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SST39LF020-45-4C-B3KE Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST39LF020-45-4C-B3KE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST39LF020-45-4C-B3KE, SST39LF020-45-4C-B3KE Datasheet (Totale pagine: 31, Dimensioni: 412,24 KB)
PDFSST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Copertura
SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 2 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 3 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 4 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 5 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 6 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 7 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 8 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 9 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 10 SST39LF040-45-4C-NHE-T Datasheet Pagina 11

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SST39LF020-45-4C-B3KE Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST39 MPF™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina20µs
Tempo di accesso45ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA

I prodotti a cui potresti essere interessato

FM24CL64B-GA

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

F-RAM™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

AT25320T2-10TC-2.7

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

20-TSSOP

7143LA20PF

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

32Kb (2K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

93AA66BT-I/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

6ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IS42S32800D-7BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

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