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SST25VF080B-80-4I-QAE

SST25VF080B-80-4I-QAE

Solo per riferimento

Numero parte SST25VF080B-80-4I-QAE
PNEDA Part # SST25VF080B-80-4I-QAE
Descrizione IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 4.266
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SST25VF080B-80-4I-QAE Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST25VF080B-80-4I-QAE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST25VF080B-80-4I-QAE, SST25VF080B-80-4I-QAE Datasheet (Totale pagine: 37, Dimensioni: 347,86 KB)
PDFSST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Copertura
SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 2 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 3 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 4 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 5 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 6 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 7 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 8 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 9 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 10 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 11

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SST25VF080B-80-4I-QAE Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST25
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock80MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10µs
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WSON

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

64Gb (8G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-VLGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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MX25R6435FBDIL0

Macronix

Produttore

Macronix

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS61WV25632BLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

8Mb (256K x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

CY7C1370D-200BZI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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