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SST25VF080B-80-4C-SAE-T

SST25VF080B-80-4C-SAE-T

Solo per riferimento

Numero parte SST25VF080B-80-4C-SAE-T
PNEDA Part # SST25VF080B-80-4C-SAE-T
Descrizione IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 2.952
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SST25VF080B-80-4C-SAE-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST25VF080B-80-4C-SAE-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST25VF080B-80-4C-SAE-T, SST25VF080B-80-4C-SAE-T Datasheet (Totale pagine: 37, Dimensioni: 347,86 KB)
PDFSST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Copertura
SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 2 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 3 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 4 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 5 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 6 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 7 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 8 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 9 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 10 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 11

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SST25VF080B-80-4C-SAE-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST25
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock80MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10µs
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

MT53D4DADT-DC

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

580536-002-00

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AS4C256M16D3B-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-FBGA (13.5x9)

STK11C68-5L35M

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-LCC

Pacchetto dispositivo fornitore

28-LCC (13.97x8.89)

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