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SST25VF080B-80-4C-SAE-T

SST25VF080B-80-4C-SAE-T

Solo per riferimento

Numero parte SST25VF080B-80-4C-SAE-T
PNEDA Part # SST25VF080B-80-4C-SAE-T
Descrizione IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 2.952
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SST25VF080B-80-4C-SAE-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST25VF080B-80-4C-SAE-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST25VF080B-80-4C-SAE-T, SST25VF080B-80-4C-SAE-T Datasheet (Totale pagine: 37, Dimensioni: 347,86 KB)
PDFSST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Copertura
SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 2 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 3 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 4 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 5 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 6 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 7 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 8 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 9 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 10 SST25VF080B-80-4I-SAE Datasheet Pagina 11

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SST25VF080B-80-4C-SAE-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST25
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock80MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10µs
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

MT46H16M32LFB5-6 AIT:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

AT27C512R-45JC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

580536-002-00

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Fremont Micro Devices Ltd

Produttore

Fremont Micro Devices Ltd

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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