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SST25VF016B-75-4I-S2AF

SST25VF016B-75-4I-S2AF

Solo per riferimento

Numero parte SST25VF016B-75-4I-S2AF
PNEDA Part # SST25VF016B-75-4I-S2AF
Descrizione IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 25.077
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SST25VF016B-75-4I-S2AF Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST25VF016B-75-4I-S2AF
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST25VF016B-75-4I-S2AF, SST25VF016B-75-4I-S2AF Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 308,98 KB)
PDFSST25VF016B-75-4I-S2AF-T Datasheet Copertura
SST25VF016B-75-4I-S2AF-T Datasheet Pagina 2 SST25VF016B-75-4I-S2AF-T Datasheet Pagina 3 SST25VF016B-75-4I-S2AF-T Datasheet Pagina 4 SST25VF016B-75-4I-S2AF-T Datasheet Pagina 5 SST25VF016B-75-4I-S2AF-T Datasheet Pagina 6 SST25VF016B-75-4I-S2AF-T Datasheet Pagina 7 SST25VF016B-75-4I-S2AF-T Datasheet Pagina 8 SST25VF016B-75-4I-S2AF-T Datasheet Pagina 9 SST25VF016B-75-4I-S2AF-T Datasheet Pagina 10 SST25VF016B-75-4I-S2AF-T Datasheet Pagina 11

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SST25VF016B-75-4I-S2AF Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST25
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria16Mb (2M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock80MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10µs
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

STK14CA8-NF25I

Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

AS7C31025C-10TJIN

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOJ

MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

168-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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SST38VF6401B-70-5I-EKE

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Produttore

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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