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SST25PF080B-80-4C-QAE-T

SST25PF080B-80-4C-QAE-T

Solo per riferimento

Numero parte SST25PF080B-80-4C-QAE-T
PNEDA Part # SST25PF080B-80-4C-QAE-T
Descrizione IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.104
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SST25PF080B-80-4C-QAE-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST25PF080B-80-4C-QAE-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST25PF080B-80-4C-QAE-T, SST25PF080B-80-4C-QAE-T Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 389,48 KB)
PDFSST25PF080B-80-4C-SAE-T Datasheet Copertura
SST25PF080B-80-4C-SAE-T Datasheet Pagina 2 SST25PF080B-80-4C-SAE-T Datasheet Pagina 3 SST25PF080B-80-4C-SAE-T Datasheet Pagina 4 SST25PF080B-80-4C-SAE-T Datasheet Pagina 5 SST25PF080B-80-4C-SAE-T Datasheet Pagina 6 SST25PF080B-80-4C-SAE-T Datasheet Pagina 7 SST25PF080B-80-4C-SAE-T Datasheet Pagina 8 SST25PF080B-80-4C-SAE-T Datasheet Pagina 9 SST25PF080B-80-4C-SAE-T Datasheet Pagina 10 SST25PF080B-80-4C-SAE-T Datasheet Pagina 11

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  • SST25PF080B-80-4C-QAE-T Distributor

SST25PF080B-80-4C-QAE-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST25
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock80MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10µs
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WSON (6x5)

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

Produttore

Macronix

Serie

MX25xxx05/06

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

75MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 1ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.35V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

TE28F256P33B95A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

95ns

Tempo di accesso

95ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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AT28HC256E-12SU-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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