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SSM6L40TU,LF

SSM6L40TU,LF

Solo per riferimento

Numero parte SSM6L40TU,LF
PNEDA Part # SSM6L40TU-LF
Descrizione X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.884
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SSM6L40TU Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSSM6L40TU,LF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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SSM6L40TU Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate, 4V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.6A (Ta), 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.1nC, 2.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds180pF, 120pF @ 15V
Potenza - Max500mW (Ta)
Temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitoreUF6

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

VBH40-05B

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

116mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

V2-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore

V2-PAK

BUK9K20-80EX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3462pF @ 25V

Potenza - Max

68W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56D

AON6884L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 20V

Potenza - Max

21W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

154A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9875pF @ 25V

Potenza - Max

480W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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