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SSB43LHE3_A/I

SSB43LHE3_A/I

Solo per riferimento

Numero parte SSB43LHE3_A/I
PNEDA Part # SSB43LHE3_A-I
Descrizione DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AA
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.732
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SSB43LHE3_A/I Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSSB43LHE3_A/I
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
SSB43LHE3_A/I, SSB43LHE3_A/I Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 79,07 KB)
PDFSSB44HE3/52T Datasheet Copertura
SSB44HE3/52T Datasheet Pagina 2 SSB44HE3/52T Datasheet Pagina 3 SSB44HE3/52T Datasheet Pagina 4

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SSB43LHE3_A/I Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media Rettificata (Io)4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If490mV @ 4A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr400µA @ 30V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

450mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

400µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

MBR3560

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

35A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 35A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.5mA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-4

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

S12QR

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

12A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 12A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-4

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

GPA803HC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

JANTX1N5415US

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/411

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 9A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, B

Pacchetto dispositivo fornitore

B, SQ-MELF

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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