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SS8P3CLHM3_A/I

SS8P3CLHM3_A/I

Solo per riferimento

Numero parte SS8P3CLHM3_A/I
PNEDA Part # SS8P3CLHM3_A-I
Descrizione DIODE SCHOTTKY 30V 4A TO277A
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.878
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 30 - giu 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SS8P3CLHM3_A/I Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSS8P3CLHM3_A/I
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
SS8P3CLHM3_A/I, SS8P3CLHM3_A/I Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 94,26 KB)
PDFSS8P3CLHM3/86A Datasheet Copertura
SS8P3CLHM3/86A Datasheet Pagina 2 SS8P3CLHM3/86A Datasheet Pagina 3 SS8P3CLHM3/86A Datasheet Pagina 4 SS8P3CLHM3/86A Datasheet Pagina 5

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SS8P3CLHM3_A/I Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, eSMP®
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If580mV @ 4A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr300µA @ 30V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-277, 3-PowerDFN
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-277A (SMPC)

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Produttore

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Serie

-

Configurazione diodi

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

22.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 9A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MMBD4148CC-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

75V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 10mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 75V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

SBR40U60CT

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Super Barrier

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 60V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

MBRTA800100

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

400A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 400A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

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Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

250A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 250A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 35V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Pacchetto / Custodia

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