SS2PH9-E3/85A
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| Numero parte | SS2PH9-E3/85A |
| PNEDA Part # | SS2PH9-E3-85A |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO220AA |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.544 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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SS2PH9-E3/85A Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SS2PH9-E3/85A |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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SS2PH9-E3/85A Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | eSMP® |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 90V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 2A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 90V |
| Capacità @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-220AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-220AA (SMP) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Power Integrations Serie Qspeed™ Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 530V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.71V @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 34.3ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 250µA @ 530V Capacità @ Vr, F 15pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.8µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
