SS10PH10-M3/86A
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| Numero parte | SS10PH10-M3/86A |
| PNEDA Part # | SS10PH10-M3-86A |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 145.680 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 5 - giu 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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SS10PH10-M3/86A Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SS10PH10-M3/86A |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
SS10PH10-M3/86A, SS10PH10-M3/86A Datasheet
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SS10PH10-M3/86A Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | eSMP® |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 10A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 270pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-277, 3-PowerDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 6500V Corrente - Media Rettificata (Io) 1100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 5.6V @ 2500A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 150mA @ 6500V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AE Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione 0°C ~ 140°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 560mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 350µA @ 45V Capacità @ Vr, F 300pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AD Pacchetto dispositivo fornitore MicroSMP (DO-219AD) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
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Produttore Comchip Technology Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 380mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 20V Capacità @ Vr, F 160pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123H Pacchetto dispositivo fornitore SOD-123H Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 100°C |
