SQJ956EP-T1_GE3
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Numero parte | SQJ956EP-T1_GE3 |
PNEDA Part # | SQJ956EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.154 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SQJ956EP-T1_GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SQJ956EP-T1_GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
SQJ956EP-T1_GE3, SQJ956EP-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 225,1 KB)
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SQJ956EP-T1_GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Standard |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.7mOhm @ 5.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1395pF @ 30V |
Potenza - Max | 34W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
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