SQD35N05-26L-GE3

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Numero parte | SQD35N05-26L-GE3 |
PNEDA Part # | SQD35N05-26L-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 30A TO252 |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.598 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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SQD35N05-26L-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | SQD35N05-26L-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SQD35N05-26L-GE3, SQD35N05-26L-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 111,37 KB)
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SQD35N05-26L-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1175pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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