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SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3

Solo per riferimento

Numero parte SQ2364EES-T1_GE3
PNEDA Part # SQ2364EES-T1_GE3
Descrizione MOSFET N-CHAN 60V SOT-23
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.966
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SQ2364EES-T1_GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSQ2364EES-T1_GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
SQ2364EES-T1_GE3, SQ2364EES-T1_GE3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 232,51 KB)
PDFSQ2364EES-T1_GE3 Datasheet Copertura
SQ2364EES-T1_GE3 Datasheet Pagina 2 SQ2364EES-T1_GE3 Datasheet Pagina 3 SQ2364EES-T1_GE3 Datasheet Pagina 4 SQ2364EES-T1_GE3 Datasheet Pagina 5 SQ2364EES-T1_GE3 Datasheet Pagina 6 SQ2364EES-T1_GE3 Datasheet Pagina 7 SQ2364EES-T1_GE3 Datasheet Pagina 8 SQ2364EES-T1_GE3 Datasheet Pagina 9

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SQ2364EES-T1_GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

84A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2490pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

88W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STE110NS20FD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MESH OVERLAY™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

504nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7900pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

Pacchetto / Custodia

ISOTOP

DMT10H010LK3-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

68.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2592pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.85A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.56W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta), 93A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2164pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 79W (Tc)

Temperatura di esercizio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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