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SQ1431EH-T1_GE3

SQ1431EH-T1_GE3

Solo per riferimento

Numero parte SQ1431EH-T1_GE3
PNEDA Part # SQ1431EH-T1_GE3
Descrizione MOSFET P-CH 30V 3A SC70
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 21.888
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SQ1431EH-T1_GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSQ1431EH-T1_GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
SQ1431EH-T1_GE3, SQ1431EH-T1_GE3 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 221,95 KB)
PDFSQ1431EH-T1_GE3 Datasheet Copertura
SQ1431EH-T1_GE3 Datasheet Pagina 2 SQ1431EH-T1_GE3 Datasheet Pagina 3 SQ1431EH-T1_GE3 Datasheet Pagina 4 SQ1431EH-T1_GE3 Datasheet Pagina 5 SQ1431EH-T1_GE3 Datasheet Pagina 6 SQ1431EH-T1_GE3 Datasheet Pagina 7 SQ1431EH-T1_GE3 Datasheet Pagina 8 SQ1431EH-T1_GE3 Datasheet Pagina 9 SQ1431EH-T1_GE3 Datasheet Pagina 10

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  • SQ1431EH-T1_GE3 Distributor

SQ1431EH-T1_GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs175mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds205pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 37W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVD6824NLT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.5A (Ta), 41A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3468pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.9W (Ta), 90W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

aMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

399mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

545pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

28W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

BSS84AKM,315

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

230mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

340mW (Ta), 2.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6920pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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