Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

SPW35N60CFDFKSA1

SPW35N60CFDFKSA1

Solo per riferimento

Numero parte SPW35N60CFDFKSA1
PNEDA Part # SPW35N60CFDFKSA1
Descrizione MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.842
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 22 - giu 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SPW35N60CFDFKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSPW35N60CFDFKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • SPW35N60CFDFKSA1 Datasheet
  • where to find SPW35N60CFDFKSA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies SPW35N60CFDFKSA1
  • SPW35N60CFDFKSA1 PDF Datasheet
  • SPW35N60CFDFKSA1 Stock

  • SPW35N60CFDFKSA1 Pinout
  • Datasheet SPW35N60CFDFKSA1
  • SPW35N60CFDFKSA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • SPW35N60CFDFKSA1 Price
  • SPW35N60CFDFKSA1 Distributor

SPW35N60CFDFKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieCoolMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C34.1A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs118mOhm @ 21.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs212nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5060pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)313W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-3
Pacchetto / CustodiaTO-247-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

APT47F60J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

49A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13190pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

540W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, TrenchT2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

76A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

97nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

AOL1418

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta), 85A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.08W (Ta), 100W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

UltraSO-8™

Pacchetto / Custodia

3-PowerSMD, Flat Leads

FCPF099N65S3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2310pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

43W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

NTB75N03R

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.7A (Ta), 75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1333pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.25W (Ta), 74.4W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Venduto di recente

ABM8G-28.63636MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-28.63636MHZ-18-D2Y-T

Abracon

CRYSTAL 28.63636MHZ 18PF SMD

SP0503BAHT

SP0503BAHT

Littelfuse

TVS DIODE 5.5V 8.5V SOT143-4

LTST-C150KFKT

LTST-C150KFKT

Lite-On Inc.

LED ORANGE CLEAR 1206 SMD

25LC128-I/ST

25LC128-I/ST

Microchip Technology

IC EEPROM 128K SPI 10MHZ 8TSSOP

ZLLS400TA

ZLLS400TA

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 520MA SOD323

MMBT3904-7-F

MMBT3904-7-F

Diodes Incorporated

TRANS NPN 40V 0.2A SMD SOT23-3

LT1764EQ#TRPBF

LT1764EQ#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 5DDPAK

ADM2587EBRWZ-REEL7

ADM2587EBRWZ-REEL7

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 20SOIC

CPH3225A

CPH3225A

Seiko Instruments

CAP 11MF 3.3V SURFACE MOUNT

7447789133

7447789133

Wurth Electronics

FIXED IND 33UH 1.22A 240 MOHM

V5.5MLA0603NH

V5.5MLA0603NH

Littelfuse

VARISTOR 8.2V 30A 0603

ADSP-BF527BBCZ-5A

ADSP-BF527BBCZ-5A

Analog Devices

IC DSP 16BIT 533MHZ 208CSBGA