SPP15P10PLGHKSA1
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| Numero parte | SPP15P10PLGHKSA1 |
| PNEDA Part # | SPP15P10PLGHKSA1 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 100V 15A TO-220 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.590 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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SPP15P10PLGHKSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SPP15P10PLGHKSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SPP15P10PLGHKSA1, SPP15P10PLGHKSA1 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 860,47 KB)
  
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SPP15P10PLGHKSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 11.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1.54mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1490pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 128W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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