SPD01N60C3BTMA1
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Numero parte | SPD01N60C3BTMA1 |
PNEDA Part # | SPD01N60C3BTMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.928 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SPD01N60C3BTMA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SPD01N60C3BTMA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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SPD01N60C3BTMA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 11W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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