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SPB20N60C3ATMA1

SPB20N60C3ATMA1

Solo per riferimento

Numero parte SPB20N60C3ATMA1
PNEDA Part # SPB20N60C3ATMA1
Descrizione MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.676
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SPB20N60C3ATMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSPB20N60C3ATMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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SPB20N60C3ATMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieCoolMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20.7A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs114nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2400pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)208W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

105A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.8mOhm @ 63A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5320pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

380W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK (7-Lead)

Pacchetto / Custodia

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Produttore

IXYS

Serie

PolarHT™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

185nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

600W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

26A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2220pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (IXFA)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFR3505PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2030pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

140W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF3706SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

77A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

88W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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