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SP8K22FU6TB

SP8K22FU6TB

Solo per riferimento

Numero parte SP8K22FU6TB
PNEDA Part # SP8K22FU6TB
Descrizione MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.136
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 2 - lug 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SP8K22FU6TB Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSP8K22FU6TB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SP8K22FU6TB, SP8K22FU6TB Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 138,89 KB)
PDFSP8K22FU6TB Datasheet Copertura
SP8K22FU6TB Datasheet Pagina 2 SP8K22FU6TB Datasheet Pagina 3 SP8K22FU6TB Datasheet Pagina 4 SP8K22FU6TB Datasheet Pagina 5

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SP8K22FU6TB Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)45V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.6nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds550pF @ 10V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 24V

Potenza - Max

1.29W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

APTM20AM04FG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

372A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 186A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

28900pF @ 25V

Potenza - Max

1250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

APTM60A23FT1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

276mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5316pF @ 25V

Potenza - Max

208W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC, 38nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

470pF, 2300pF @ 30V

Potenza - Max

3W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31.3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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