SN75451BDRE4
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| Numero parte | SN75451BDRE4 |
| PNEDA Part # | SN75451BDRE4 |
| Descrizione | IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.176 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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SN75451BDRE4 Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SN75451BDRE4 |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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SN75451BDRE4 Specifiche
| Produttore | |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 4.75V ~ 5.25V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 2V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 500mA, 500mA |
| Tipo di ingresso | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 5ns, 7ns |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 350mA Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 150ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Maxim Integrated Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 8V ~ 12.6V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 3A, 3A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 125V Tempo di salita / discesa (tipico) 50ns, 40ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC-EP |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4A, 4A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 15ns, 18ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-S (6x5) |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata High-Side or Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 3A, 3A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 12ns, 12ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale 3-Phase Numero di driver 6 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 11.5V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 350mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 125ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-LCC (J-Lead), 32 Leads Pacchetto dispositivo fornitore 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) |
