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SMUN5315DW1T1G

SMUN5315DW1T1G

Solo per riferimento

Numero parte SMUN5315DW1T1G
PNEDA Part # SMUN5315DW1T1G
Descrizione TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 2.376
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SMUN5315DW1T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSMUN5315DW1T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
SMUN5315DW1T1G, SMUN5315DW1T1G Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 135,88 KB)
PDFNSVB114YPDXV6T1G Datasheet Copertura
NSVB114YPDXV6T1G Datasheet Pagina 2 NSVB114YPDXV6T1G Datasheet Pagina 3 NSVB114YPDXV6T1G Datasheet Pagina 4 NSVB114YPDXV6T1G Datasheet Pagina 5 NSVB114YPDXV6T1G Datasheet Pagina 6 NSVB114YPDXV6T1G Datasheet Pagina 7 NSVB114YPDXV6T1G Datasheet Pagina 8 NSVB114YPDXV6T1G Datasheet Pagina 9 NSVB114YPDXV6T1G Datasheet Pagina 10

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SMUN5315DW1T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)10kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max187mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V, 40V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

100MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA, 3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V, 20V

Resistenza - Base (R1)

4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA, 100nA

Frequenza - Transizione

100MHz

Potenza - Max

1.5W

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

UP0331200L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz, 80MHz

Potenza - Max

125mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-665

Pacchetto dispositivo fornitore

SSMini5-F2

DCX144EU-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

DMA561020R

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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