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SMA5131

SMA5131

Solo per riferimento

Numero parte SMA5131
PNEDA Part # SMA5131
Descrizione MOSFET 3N/3P-CH 250V 2A 12-SIP
Produttore Sanken
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.984
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SMA5131 Risorse

Brand Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSMA5131
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SMA5131, SMA5131 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 811,04 KB)
PDFSMA5131 Datasheet Copertura
SMA5131 Datasheet Pagina 2 SMA5131 Datasheet Pagina 3

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SMA5131 Specifiche

ProduttoreSanken
Serie-
Tipo FET3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia12-SIP
Pacchetto dispositivo fornitore12-SIP

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 5.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1015pF @ 10V

Potenza - Max

600mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

PMGD780SN,115

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

490mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

920mOhm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.05nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

23pF @ 30V

Potenza - Max

410mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

SI4910DY-T1-GE3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

855pF @ 20V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A, 9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

857pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.76nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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