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SLA5212

SLA5212

Solo per riferimento

Numero parte SLA5212
PNEDA Part # SLA5212
Descrizione MOSFET 3N/3P-CH 35V 8A 15-SIP
Produttore Sanken
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.948
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SLA5212 Risorse

Brand Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSLA5212
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SLA5212, SLA5212 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 115,29 KB)
PDFSLA5212 Datasheet Copertura
SLA5212 Datasheet Pagina 2 SLA5212 Datasheet Pagina 3

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SLA5212 Specifiche

ProduttoreSanken
Serie-
Tipo FET3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)35V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
Pacchetto dispositivo fornitore15-ZIP

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

STZD3155CT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

NTZD3155CT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

540mA, 430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

SLA5041

Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 10V

Potenza - Max

5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

12-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

12-SIP w/fin

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1938pF @ 15V

Potenza - Max

1.4W, 2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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