SJPB-L4V
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| Numero parte | SJPB-L4V |
| PNEDA Part # | SJPB-L4V |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 40V 3A SJP |
| Produttore | Sanken |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.526 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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SJPB-L4V Risorse
| Brand | Sanken |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SJPB-L4V |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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SJPB-L4V Specifiche
| Produttore | Sanken |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 40V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 40V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 2-SMD, J-Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SJP |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Powerex Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 2200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 1500A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 4µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 75mA @ 2200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AB, B-PUK Pacchetto dispositivo fornitore DO-200AB, B-PUK Temperatura di esercizio - Giunzione - |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
