SIZ980DT-T1-GE3
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| Numero parte | SIZ980DT-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIZ980DT-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 1.400 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIZ980DT-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIZ980DT-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SIZ980DT-T1-GE3, SIZ980DT-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 232,48 KB)
  
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SIZ980DT-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V |
| Potenza - Max | 20W, 66W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPair® |
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