SIRC06DP-T1-GE3
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| Numero parte | SIRC06DP-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIRC06DP-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 48.768 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIRC06DP-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIRC06DP-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SIRC06DP-T1-GE3, SIRC06DP-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 204,63 KB)
  
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SIRC06DP-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 60A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | +20V, -16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2455pF @ 15V |
| Funzione FET | Schottky Diode (Body) |
| Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 50W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SO-8 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.96mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 4.5V Vgs (massimo) +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20330pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 158W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 8 x 8 Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.9nC @ 10V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 708pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 107mOhm @ 8A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 10V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252AA Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6540pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V Funzione FET Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max) 485mW (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-HUSON-EP (2x2) Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad |
