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SIPC30N60C3X1SA2

SIPC30N60C3X1SA2

Solo per riferimento

Numero parte SIPC30N60C3X1SA2
PNEDA Part # SIPC30N60C3X1SA2
Descrizione TRANSISTOR N-CH
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.696
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SIPC30N60C3X1SA2 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSIPC30N60C3X1SA2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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SIPC30N60C3X1SA2 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

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DMN60H3D5SK3-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

354pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

41W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMG2301LK-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

156pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

840mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

TN0606N3-G

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 750mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

DMTH3004LPSQ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 145A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43.7nC @ 15V

Vgs (massimo)

+20V, -16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2370pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

136W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI5060-8

Pacchetto / Custodia

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NTMFS4965NFT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17.5A (Ta), 65A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

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