SIHP22N65E-GE3
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Numero parte | SIHP22N65E-GE3 |
PNEDA Part # | SIHP22N65E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 17.928 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIHP22N65E-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SIHP22N65E-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SIHP22N65E-GE3, SIHP22N65E-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 291,13 KB)
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SIHP22N65E-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2415pF @ 100V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 227W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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