SIHH068N60E-T1-GE3
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Numero parte | SIHH068N60E-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SIHH068N60E-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CHAN 600V POWERPAK 8X8 |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.048 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIHH068N60E-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SIHH068N60E-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SIHH068N60E-T1-GE3, SIHH068N60E-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 137,47 KB)
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SIHH068N60E-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | E |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2650pF @ 100V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 202W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 8 x 8 |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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