SIHB4N80E-GE3
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| Numero parte | SIHB4N80E-GE3 |
| PNEDA Part # | SIHB4N80E-GE3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V D2PAK TO-263 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.102 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIHB4N80E-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIHB4N80E-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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SIHB4N80E-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | * |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
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