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SIDC85D170HX1SA2

SIDC85D170HX1SA2

Solo per riferimento

Numero parte SIDC85D170HX1SA2
PNEDA Part # SIDC85D170HX1SA2
Descrizione DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.438
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SIDC85D170HX1SA2 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSIDC85D170HX1SA2
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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SIDC85D170HX1SA2 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1700V
Corrente - Media Rettificata (Io)150A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.8V @ 150A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr27µA @ 1700V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreSawn on foil
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1500V

Corrente - Media Rettificata (Io)

150A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 150A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 1500V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AA, DO-8, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AA (DO-8)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 200°C

SFA802GHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

975mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

GKN240/08

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

320A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 60A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

60mA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AB, DO-9, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AB, DO-9

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 180°C

DK025L

Littelfuse

Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15.9A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 15.9A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220 Isolated Tab

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

IDDD10G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

29A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

33µA @ 420V

Capacità @ Vr, F

495pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-PowerSOP Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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