SIDC32D170HX1SA3
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| Numero parte | SIDC32D170HX1SA3 |
| PNEDA Part # | SIDC32D170HX1SA3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.392 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 2 - lug 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIDC32D170HX1SA3 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIDC32D170HX1SA3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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SIDC32D170HX1SA3 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1700V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 50A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 50A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 27µA @ 1700V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 30V Capacità @ Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-87 Pacchetto dispositivo fornitore MELF Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 900mV @ 6A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 150pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia P600, Axial Pacchetto dispositivo fornitore P600 Temperatura di esercizio - Giunzione -50°C ~ 150°C |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 34A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 16A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 53µA @ 420V Capacità @ Vr, F 783pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 850mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
