SIA483ADJ-T1-GE3
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Numero parte | SIA483ADJ-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SIA483ADJ-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30-V PWRPAK SC-70 |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.298 |
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SIA483ADJ-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SIA483ADJ-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SIA483ADJ-T1-GE3, SIA483ADJ-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 268,43 KB)
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SIA483ADJ-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.6A (Ta), 12A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +16V, -20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 15V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SC-70-6 |
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