SIA429DJT-T1-GE3
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| Numero parte | SIA429DJT-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIA429DJT-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 48.120 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 1 - lug 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIA429DJT-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIA429DJT-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SIA429DJT-T1-GE3, SIA429DJT-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 204,66 KB)
  
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SIA429DJT-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 8V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SC-70-6 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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