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SI9978DW-T1-E3

SI9978DW-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI9978DW-T1-E3
PNEDA Part # SI9978DW-T1-E3
Descrizione IC FET DRIVER H-BRIDGE 1A 24SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 166
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI9978DW-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI9978DW-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
SI9978DW-T1-E3, SI9978DW-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 279,93 KB)
PDFSI9978DW-T1-E3 Datasheet Copertura
SI9978DW-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI9978DW-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI9978DW-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI9978DW-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI9978DW-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI9978DW-T1-E3 Datasheet Pagina 7 SI9978DW-T1-E3 Datasheet Pagina 8

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SI9978DW-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver4
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione14.5V ~ 17.5V
Tensione logica - VIL, VIH1V, 4V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)-
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)40V
Tempo di salita / discesa (tipico)110ns, 50ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore24-SOIC

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Monolithic Power Systems Inc.

Produttore

Monolithic Power Systems Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.5A, 2.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

100V

Tempo di salita / discesa (tipico)

12ns, 9ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-QFN (3x3)

IR2133S

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

90ns, 40ns

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

MAX5075CAUA-T

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-uMax-EP

IRS2453DSPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Full-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 15.6V

Tensione logica - VIL, VIH

4.7V, 9.3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

180mA, 260mA

Tipo di ingresso

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

120ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

IR2127SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

12V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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