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SI9936BDY-T1-GE3

SI9936BDY-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI9936BDY-T1-GE3
PNEDA Part # SI9936BDY-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.570
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI9936BDY-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI9936BDY-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI9936BDY-T1-GE3, SI9936BDY-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 107,11 KB)
PDFSI9936BDY-T1-E3 Datasheet Copertura
SI9936BDY-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI9936BDY-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI9936BDY-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI9936BDY-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI9936BDY-T1-E3 Datasheet Pagina 6

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SI9936BDY-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

74A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 15mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

161nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2788pF @ 1000V

Potenza - Max

375W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

FDME1023PZT

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

142mOhm @ 2.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 10V

Potenza - Max

600mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MicroFET (1.6x1.6)

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.5mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 16V

Potenza - Max

4.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

BSS138BKS,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

320mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 320mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

56pF @ 10V

Potenza - Max

445mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

MC7252KDW-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V, 50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

340mA, 180mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V, 8Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA, 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

40pF, 30pF @ 10V, 5V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

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