SI8481DB-T1-E1
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| Numero parte | SI8481DB-T1-E1 |
| PNEDA Part # | SI8481DB-T1-E1 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.100 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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SI8481DB-T1-E1 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI8481DB-T1-E1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SI8481DB-T1-E1, SI8481DB-T1-E1 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 154,3 KB)
  
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SI8481DB-T1-E1 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen III |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.7A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) |
| Pacchetto / Custodia | 4-UFBGA |
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