SI8275DB-IM1R
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| Numero parte | SI8275DB-IM1R |
| PNEDA Part # | SI8275DB-IM1R |
| Descrizione | 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR |
| Produttore | Silicon Labs |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.392 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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SI8275DB-IM1R Risorse
| Brand | Silicon Labs |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI8275DB-IM1R |
| Categoria | Semiconduttori › Isolatori › Isolatori - Gate driver |
| Datasheet |
SI8275DB-IM1R, SI8275DB-IM1R Datasheet
(Totale pagine: 49, Dimensioni: 935,99 KB)
  
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SI8275DB-IM1R Specifiche
| Produttore | Silicon Labs |
| Serie | * |
| Tecnologia | - |
| Numero di canali | - |
| Tensione - Isolamento | - |
| Immunità transitoria di modo comune (min) | - |
| Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (Max) | - |
| Distorsione della larghezza dell'impulso (max) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | - |
| Corrente - Uscita alta, bassa | - |
| Corrente - Uscita di picco | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Tip) | - |
| Corrente - DC diretta (If) (Max) | - |
| Tensione - Alimentazione in uscita | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Approvazioni | - |
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Produttore Silicon Labs Serie Automotive, AEC-Q100 Tecnologia Capacitive Coupling Numero di canali 2 Tensione - Isolamento 5000Vrms Immunità transitoria di modo comune (min) 20kV/µs Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (Max) 60ns, 60ns Distorsione della larghezza dell'impulso (max) 5.6ns Tempo di salita / discesa (tipico) 12ns, 12ns (Max) Corrente - Uscita alta, bassa 2A, 4A Corrente - Uscita di picco 4A Tensione - Avanti (Vf) (Tip) - Corrente - DC diretta (If) (Max) - Tensione - Alimentazione in uscita 6.5V ~ 24V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 16-SOIC Approvazioni CQC, CSA, UR, VDE |
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