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SI7872DP-T1-GE3

SI7872DP-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI7872DP-T1-GE3
PNEDA Part # SI7872DP-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.748
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI7872DP-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI7872DP-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI7872DP-T1-GE3, SI7872DP-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 144,17 KB)
PDFSI7872DP-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 10

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SI7872DP-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieLITTLE FOOT®
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.4W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® SO-8 Dual

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (Three Level Inverter)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

48A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 2mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 1000V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

TSM4946DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

910pF @ 24V

Potenza - Max

2.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

NTMD6N02R2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.92A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 16V

Potenza - Max

730mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

EMH2409-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 10V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.5mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

124nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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20mW

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