SI7617DN-T1-GE3
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Numero parte | SI7617DN-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SI7617DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 56.412 |
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SI7617DN-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI7617DN-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SI7617DN-T1-GE3, SI7617DN-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 618,66 KB)
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SI7617DN-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 13.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 15V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 1212-8 |
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