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SI7501DN-T1-E3

SI7501DN-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI7501DN-T1-E3
PNEDA Part # SI7501DN-T1-E3
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.694
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI7501DN-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI7501DN-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI7501DN-T1-E3, SI7501DN-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 114,24 KB)
PDFSI7501DN-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI7501DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI7501DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI7501DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI7501DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI7501DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI7501DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI7501DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI7501DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 9

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SI7501DN-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETN and P-Channel, Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.6W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® 1212-8 Dual

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Produttore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 15V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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SI7252DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1170pF @ 50V

Potenza - Max

46W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2254pF @ 25V

Potenza - Max

156W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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SP4

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 10V

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