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SI6926ADQ-T1-GE3

SI6926ADQ-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI6926ADQ-T1-GE3
PNEDA Part # SI6926ADQ-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 69.786
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI6926ADQ-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI6926ADQ-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI6926ADQ-T1-GE3, SI6926ADQ-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 226,12 KB)
PDFSI6926ADQ-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI6926ADQ-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI6926ADQ-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI6926ADQ-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI6926ADQ-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI6926ADQ-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI6926ADQ-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI6926ADQ-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI6926ADQ-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SI6926ADQ-T1-GE3 Datasheet Pagina 10 SI6926ADQ-T1-GE3 Datasheet Pagina 11

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SI6926ADQ-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max830mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 22µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3050pF @ 25V

Potenza - Max

54W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

63A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 25V

Potenza - Max

71W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.8A, 7.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 15V

Potenza - Max

3.57W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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SI7270DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 15V

Potenza - Max

17.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

215mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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